晶体管类型：双极型晶体管（BJT）
　　晶体管配置：双NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：8
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作点不同）

FHT23030IV#PBF采用了先进的硅外延平面工艺，确保了器件的高可靠性和稳定性。其双NPN晶体管结构使得该器件非常适合用于需要两个独立晶体管的电路设计，从而减少了PCB板的空间占用和元件数量，提高了系统的整体集成度。此外，该器件的低功耗特性使其在电池供电设备和便携式电子产品中具有显著优势。
　　在电气性能方面，FHT23030IV#PBF具有较高的电流增益（hFE），能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的放大性能。其增益带宽积（fT）为100MHz，表明该晶体管适用于高频放大和开关应用。此外，该器件的集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极电流（IC）为100mA，足以满足大多数低功率电子系统的需求。
　　封装方面，FHT23030IV#PBF采用TSSOP封装，具有较小的体积和优良的散热性能。这种封装形式不仅适合表面贴装工艺，还能够有效降低热阻，提高器件在高负载条件下的可靠性。TSSOP封装还具有良好的抗静电能力和机械稳定性，适合在各种恶劣环境中使用。

FHT23030IV#PBF由于其优异的性能和小型化设计，被广泛应用于多个领域。在消费电子产品中，它常用于音频放大器、LED驱动器和传感器接口电路。例如，在便携式音频设备中，该器件可以作为前置放大器使用，提供高增益和低噪声的信号放大功能。
　　在工业控制系统中，FHT23030IV#PBF可用于驱动继电器、光电耦合器和小型电机等负载。由于其较高的电流增益和良好的热稳定性，该器件能够在工业环境中提供可靠的开关和放大功能。
　　在通信设备中，该器件常用于射频（RF）前端电路、信号调制解调器和接口转换器等应用。其高频性能和低功耗特性使其成为无线通信模块和射频识别（RFID）设备中的理想选择。
　　此外，FHT23030IV#PBF还可用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、仪表盘显示驱动和车身控制模块等。在这些应用中，该器件的高温耐受性和稳定性确保了系统在复杂环境下的可靠运行。

BC847BS、MUN5211DW1