时间：2025/9/2 8:41:34
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H5DU5162ETR-E3I 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片具有高容量和高性能，适用于需要大容量内存支持的电子设备，如计算机、服务器、工业控制系统等。这款DRAM芯片采用先进的制造工艺，提供了稳定的性能和较长的使用寿命。
制造商: SK Hynix
类型: DRAM
容量: 256Mbit
组织结构: x16
速度: 166MHz / 143MHz
电压: 2.3V - 3.6V
封装类型: TSOP
引脚数: 54
工作温度范围: -40°C ~ +85°C
数据总线宽度: 16位
刷新周期: 64ms
H5DU5162ETR-E3I 是一款高性能DRAM芯片，具有较大的存储容量和较快的访问速度。其主要特性包括低功耗设计、宽电压范围支持以及宽温度范围操作，适用于各种工业级应用环境。此外，该芯片采用了TSOP封装技术，具有良好的电气性能和热稳定性，能够在高密度电路板上提供可靠的存储解决方案。该芯片的16位数据总线宽度使其在数据传输速率上表现优异，适用于需要高速数据处理的系统。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、消费电子产品以及通信设备等领域。由于其宽温度范围和可靠性，特别适合在严苛的工业环境中使用。例如，它可以用于工业计算机、自动化控制系统、网络路由器和交换机、视频监控设备以及其他需要高性能存储的电子设备。
H5DU5162ETR-E3C, H5DU5162ETR-E2I, H5DU5162ETR-EDC
