时间：2025/9/1 18:38:56
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H5DU5162ETR-E3 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能、低功耗类型的内存器件。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。其设计旨在提供稳定的数据存储能力，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和消费类电子产品。
型号: H5DU5162ETR-E3
存储类型: DRAM
存储容量: 256Mbit
组织结构: x16
电压供应: 2.3V - 3.6V
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
封装类型: TSOP
封装尺寸: 54-Pin
访问时间: 5.4ns
刷新周期: 64ms
时钟频率: 166MHz
H5DU5162ETR-E3 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性。其256Mbit的存储容量和x16的组织结构，使其能够满足高带宽数据访问的需求。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适用于多种电源管理场景，同时具备低功耗模式，有助于延长设备的电池寿命。
此外，该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种恶劣的工业环境。其TSOP封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在高密度PCB设计中使用。54引脚的封装设计简化了PCB布线，提高了系统的稳定性。
H5DU5162ETR-E3 还具备标准的DRAM功能，包括自动刷新、自刷新和突发模式等，能够满足不同应用场景下的内存管理需求。该芯片的64ms刷新周期确保了数据的长期存储可靠性，同时减少了系统维护的复杂性。
在高速应用中，该芯片支持166MHz的时钟频率，访问时间低至5.4ns，能够显著提升系统的数据处理能力。这使其成为通信设备、工业控制、嵌入式系统以及高性能消费类电子产品中的理想选择。
H5DU5162ETR-E3 被广泛应用于需要高速数据存储和访问的电子设备中。其主要应用领域包括通信基础设施（如路由器、交换机）、工业控制系统（如PLC、自动化设备）、嵌入式系统（如智能卡终端、数据采集设备）以及高性能消费电子产品（如数字电视、机顶盒）。此外，该芯片也适用于需要高稳定性和低功耗的物联网设备和便携式电子产品。
H5DU5162ETR-E3C H5DU5162ETR-E4 H5DU5162ETR-E5
