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BZB784-C8V2,115 发布时间 时间:2025/9/14 6:33:40 查看 阅读:5

BZB784-C8V2,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 类型的高频晶体管。这款晶体管主要用于射频(RF)和高频放大应用,广泛应用于无线通信、广播设备、测试仪器等领域。其封装形式为 SOT89,具有良好的高频性能和热稳定性,适合在高频率环境下工作。

参数

类型:NPN 双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vceo):30 V
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大功耗(Ptot):300 mW
  频率范围(fT):250 MHz
  电流增益(hFE):110 - 800(根据不同等级)
  封装类型:SOT89

特性

BZB784-C8V2,115 的主要特性是其出色的高频性能,适用于射频信号放大和处理。该晶体管的工作频率可达250 MHz,使其在射频电路中表现优异。
  此外,其 SOT89 封装形式具有良好的热管理能力,能够在高频工作条件下保持稳定的性能。
  晶体管的电流增益范围广泛(110 - 800),适用于不同增益需求的应用场景。
  它还具有较低的噪声系数,适合用于高灵敏度信号放大电路。
  在工作温度范围内,晶体管的性能保持稳定,适用于各种恶劣环境下的电子设备。
  由于其封装尺寸较小,BZB784-C8V2,115 在空间受限的电路设计中也具有较高的灵活性。

应用

BZB784-C8V2,115 主要用于射频(RF)和高频电子电路中,例如无线通信系统的信号放大器、广播设备的前置放大器、测试仪器中的高频信号处理模块等。
  它还可以用于音频电路中的高频补偿和信号增强。
  在工业控制和消费类电子产品中,该晶体管可用于高频振荡器和调制电路。
  此外,它也常用于低噪声放大器(LNA)的设计,以提高系统的信号接收灵敏度。
  在汽车电子系统中,该晶体管可以用于射频遥控门锁系统和车载通信模块。

替代型号

BCX70H-10, BFR93A, BFQ19, BFQ19A

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BZB784-C8V2,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)8.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电700nA @ 5V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大180mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)6 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934056309115BZB784-C8V2 T/RBZB784-C8V2 T/R-ND