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FDG6301N_F085 发布时间 时间:2025/7/1 7:09:23 查看 阅读:6

FDG6301N_F085是一款高性能、低导通电阻的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的开关特性和较低的导通损耗,适用于多种功率转换和负载切换应用场景。
  该器件设计用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域,支持高频开关操作,同时保持较高的效率和可靠性。其紧凑的封装形式使其非常适合对空间有严格要求的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:11.6A
  导通电阻:1.6mΩ
  总电容:190pF
  栅极电荷:27nC
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 高度可靠的电气性能,在恶劣环境下也能保持稳定运行。
  4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间。
  5. 宽广的工作温度范围,能够适应各种工业和消费级应用场景。
  6. 具备良好的热稳定性,确保长时间工作的安全性和可靠性。

应用

1. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  2. 负载开关和电源管理模块中的关键组件。
  3. 电机驱动电路中的驱动元件。
  4. 各类保护电路,例如过流保护、短路保护等。
  5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
  6. 通信设备中的信号调节与功率分配单元。

替代型号

IRF7404, FDN340P, AO3400A

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FDG6301N_F085参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 欧姆 @ 220mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9.5pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)