HYG035N06LS1D是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件设计用于在60V的工作电压下提供高达35A的连续漏极电流,具备低导通电阻和高开关速度的特性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):60V
最大漏极电流(ID):35A
导通电阻(RDS(ON)):典型值为9.5mΩ(在VGS=10V时)
栅极电荷(Qg):约60nC
封装形式:TO-220
HYG035N06LS1D具备极低的导通电阻(RDS(ON)),有助于降低导通损耗,提高能效。其高电流承载能力使其适合用于高功率密度设计,如DC-DC转换器和电机控制应用。
该MOSFET采用了先进的沟槽式技术,提供良好的热性能和稳定的开关特性,有助于减少开关损耗和提升整体系统效率。此外,TO-220封装提供了良好的散热性能,使得该器件能够在较高温度下稳定工作。
HYG035N06LS1D还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能,确保在极端工作条件下也能保持稳定运行。这种设计使其在工业电源、电动汽车充电系统以及高功率LED照明等应用中具有很高的可靠性。
该器件广泛应用于各类电源管理系统,如同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等场景。其高效率和高可靠性的特点使其成为工业自动化设备、通信电源、服务器电源以及电动车充电模块的理想选择。
TK35A60D, IRF3710, STP35NF06L