时间：2025/9/2 4:37:58
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HYG035N06LS1D是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件设计用于在60V的工作电压下提供高达35A的连续漏极电流，具备低导通电阻和高开关速度的特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：35A
导通电阻（RDS(ON)）：典型值为9.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约60nC
封装形式：TO-220
HYG035N06LS1D具备极低的导通电阻（RDS(ON)），有助于降低导通损耗，提高能效。其高电流承载能力使其适合用于高功率密度设计，如DC-DC转换器和电机控制应用。
该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供良好的热性能和稳定的开关特性，有助于减少开关损耗和提升整体系统效率。此外，TO-220封装提供了良好的散热性能，使得该器件能够在较高温度下稳定工作。
HYG035N06LS1D还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，确保在极端工作条件下也能保持稳定运行。这种设计使其在工业电源、电动汽车充电系统以及高功率LED照明等应用中具有很高的可靠性。
该器件广泛应用于各类电源管理系统，如同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等场景。其高效率和高可靠性的特点使其成为工业自动化设备、通信电源、服务器电源以及电动车充电模块的理想选择。
TK35A60D, IRF3710, STP35NF06L
