GA0402A1R5CXXAP31G 是一种表面贴装型的多层陶瓷电容器 (MLCC),属于高可靠性和高性能的片式电容器。该型号适用于高频、低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻)的应用场景,具有出色的温度稳定性和耐久性。
该产品由知名制造商生产,广泛用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。其设计符合RoHS标准,并满足严格的环保要求。
封装容量:1.5pF
额定电压:50V
容差:±5%
介质材料:C0G/NP0
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
外形尺寸:0.4mm x 0.2mm
DC偏压特性:极低影响
ESL:0.3nH
ESR:10mΩ
GA0402A1R5CXXAP31G 的主要特点是采用了C0G(NP0)介质材料,这种材料具有优异的温度稳定性,在整个工作温度范围内电容值的变化率非常小,仅为±30ppm/℃。此外,由于其超小型封装(0402),非常适合在空间受限的PCB设计中使用。
该型号的低ESL和低ESR性能使其成为高频滤波、信号耦合和去耦应用的理想选择。同时,其高耐压能力(50V)保证了在各种复杂电路中的可靠性。
另外,该电容器对直流偏置的影响很小,因此即使在高场强环境下也能保持稳定的电容值输出。这些特性使得它特别适合于射频前端模块、电源管理芯片旁路电容以及其他需要高精度和高频性能的场合。
GA0402A1R5CXXAP31G 广泛应用于以下领域:
1. 射频和微波电路中的信号耦合与解耦。
2. 高速数字电路中的去耦电容,以减少电源噪声。
3. 滤波器设计,尤其是在需要精确频率响应的地方。
4. 汽车电子系统中的抗干扰组件。
5. 工业自动化设备中的高频信号处理部分。
6. 移动通信设备中的振荡器和匹配网络组件。
7. 医疗设备中的敏感信号处理环节。
GA0402A1R5C03AP31G
GA0402A1R5C05AP31G
GRM042C80J1R5K
KEMPE0402C1R5C