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H5DU2582GTR-E3I 发布时间 时间:2025/9/2 7:30:36 查看 阅读:3

H5DU2582GTR-E3I 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DDR3 SDRAM类别,具有较高的数据传输速率和较低的功耗,广泛用于需要大容量内存和高效能计算的应用领域。H5DU2582GTR-E3I 采用BGA(球栅阵列封装),适合在工业级温度范围内稳定工作。

参数

容量:256MB
  组织结构:x8
  电压:1.35V
  频率:800MHz
  封装:BGA
  温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5DU2582GTR-E3I 是一款低电压、高性能的DDR3 SDRAM芯片,工作电压为1.35V,相比传统的1.5V DDR3内存,功耗更低,能效更高。该芯片的容量为256MB,组织结构为x8,适用于对存储密度和性能有较高要求的应用场景。
  其工作频率为800MHz,能够提供较高的数据传输速率,适用于需要高速数据处理的设备。芯片采用BGA封装技术,具有良好的电气性能和机械稳定性,适合在空间受限的PCB设计中使用。
  此外,H5DU2582GTR-E3I 支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),可以在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、嵌入式系统、网络设备等高可靠性应用场景。
  该芯片还支持多种节能模式,包括自刷新和深度掉电模式,有助于进一步降低系统功耗,延长设备的续航时间。

应用

H5DU2582GTR-E3I 主要应用于需要高性能、低功耗和宽温范围的电子设备中。常见的应用包括工业控制设备、嵌入式系统、网络路由器、交换机、智能家电、汽车电子、安防监控设备等。由于其良好的稳定性和兼容性,这款芯片也常被用于高端消费类电子产品和物联网(IoT)设备中。

替代型号

H5DU2562GTR-E3I, H5DU5182GTR-E3I, H5TQ2563GFR-E3I

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