时间：2025/7/1 1:03:36
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EMF212B7473MGHT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于增强型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它被广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效能功率管理的场景。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：EMF212B7473MGHT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：52A
导通电阻Rds(on)：3.5mΩ
总功耗Ptot：190W
工作温度范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
EMF212B7473MGHT采用了先进的制造工艺，确保其在高压和大电流环境下依然保持稳定性能。
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）可以显著减少传导损耗，适用于高效率设计。
2. 快速开关速度降低了开关损耗，并且提高了系统的整体响应能力。
3. 芯片内置了完善的保护机制，例如过热关断和短路保护功能，从而增强了产品的可靠性。
4. 宽泛的工作温度范围使得其适合工业级和汽车级应用环境。
5. 具备良好的电磁兼容性（EMC），减少了对外部电路的干扰。
这款功率MOSFET非常适合以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）的核心组件。
3. 电动机控制与驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 大功率LED驱动器以及太阳能逆变器等新能源领域。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L
