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BUK9832-55A/CUX 发布时间 时间:2025/9/15 1:22:27 查看 阅读:13

BUK9832-55A/CUX 是由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电流、高效率的电源管理应用,具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的热稳定性。该MOSFET采用先进的Trench工艺制造,确保在高频率开关应用中具备出色的性能。其封装形式为SOT404(D2PAK),便于散热并适用于表面贴装。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):55V
  连续漏极电流(Id)@25°C:140A
  导通电阻(Rds(on)):3.2mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0V~4.0V
  功耗(Ptot):220W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装类型:SOT404(D2PAK)

特性

BUK9832-55A/CUX 具有多个关键特性,使其在高性能电源系统中表现出色。
  首先,其极低的导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。这一特性对于需要高电流能力的应用(如DC-DC转换器、负载开关或电机驱动)至关重要。
  其次,该器件具有高耐压能力,最大漏源电压可达55V,能够应对各种电源管理场景,包括汽车电子、工业电源和电池管理系统等。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,通常可在4.5V至20V之间工作,使得其与多种驱动电路兼容。
  在热性能方面,BUK9832-55A/CUX 采用D2PAK封装,具备良好的散热能力,即使在高功率密度设计中也能保持稳定工作温度。此外,其内部结构优化了热阻,提高了长期工作的可靠性。
  该MOSFET还具有快速开关特性,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。同时,其雪崩能量承受能力较强,提升了器件在极端工作条件下的鲁棒性。
  最后,BUK9832-55A/CUX 的制造工艺符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品的设计需求。

应用

BUK9832-55A/CUX 广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中。典型应用包括:
  1. DC-DC转换器:用于通信设备、服务器电源、工业自动化系统中的高效能电压调节。
  2. 电机驱动电路:适用于电动工具、电动车控制器和工业伺服电机控制。
  3. 负载开关:作为大电流负载的开关元件,如LED驱动、加热元件控制等。
  4. 电池管理系统(BMS):用于新能源汽车、储能系统和便携式电源设备中的充放电控制。
  5. 汽车电子:包括车载充电器、起动机控制、车身控制模块等对可靠性要求极高的应用场景。

替代型号

IRF1405, BSC090N03LS G, BUK98135-55A

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BUK9832-55A/CUX参数

  • 现有数量13,238现货
  • 价格1 : ¥7.23000剪切带(CT)1,000 : ¥3.07049卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)29 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1594 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-223
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA