时间：2025/6/29 12:45:42
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JSM80N10C是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于各种高效能的功率转换应用。其主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
JSM80N10C具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。此外，它还支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
型号：JSM80N10C
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：175W
工作温度范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
JSM80N10C的核心特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适用于现代高效能电源设计。
3. 强大的电流承载能力，确保在高负载条件下稳定运行。
4. 良好的热性能，有助于散热管理，延长使用寿命。
5. 高度可靠的电气性能，适应恶劣的工作环境。
6. 支持表面贴装技术，简化生产流程并提高装配精度。
这些特点使得JSM80N10C成为需要高效功率转换和高可靠性的应用的理想选择。
JSM80N10C广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 逆变器
5. 工业控制设备
6. 汽车电子系统
7. 太阳能逆变器
由于其出色的性能和可靠性，这款MOSFET特别适合于需要高效功率转换和高电流承载能力的应用场景。
JSM80N10,
IRF840,
STP80NF10
