时间：2025/9/1 19:39:36
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H5DU1262GTRFBC 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器产品系列。该芯片通常用于需要高速数据访问的电子设备和系统中，例如计算机、服务器、嵌入式系统和消费类电子产品。这款DRAM芯片提供较大的存储容量和较高的数据传输速率，以满足现代电子设备对内存性能的需求。
容量：256MB
数据总线宽度：16位
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
存储架构：DRAM
H5DU1262GTRFBC 具有多个显著的性能特点，使其适用于广泛的电子应用领域。首先，其16位的数据总线宽度可以支持较高的数据传输速率，适用于需要高速存取的应用场景。该芯片的256MB存储容量在嵌入式系统和中端计算设备中提供了良好的平衡，既能满足存储需求，又不会占用过多的系统资源。
其次，该芯片支持较宽的电压范围（2.3V至3.6V），使其能够在不同的电源条件下稳定工作，增强了其在各种环境中的适应能力。此外，H5DU1262GTRFBC 采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适用于空间受限的设计。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其具备较强的环境适应能力，能够在工业级温度范围内可靠运行。这一特性使其适用于工业控制、通信设备和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。
H5DU1262GTRFBC 主要用于需要较高内存性能的设备和系统。常见的应用包括嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品（如数字电视、机顶盒）以及中低端计算机外设。由于其具备较高的数据访问速度和良好的环境适应性，该芯片也常用于需要长期稳定运行的工业和通信设备中。
IS42S16400J-6T, MT48LC16M2A2B4-6A
