H5DU1262GTRFBC 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能存储器产品系列。该芯片通常用于需要高速数据访问的电子设备和系统中,例如计算机、服务器、嵌入式系统和消费类电子产品。这款DRAM芯片提供较大的存储容量和较高的数据传输速率,以满足现代电子设备对内存性能的需求。
容量:256MB
数据总线宽度:16位
电压:2.3V - 3.6V
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
时钟频率:166MHz
访问时间:5.4ns
存储架构:DRAM
H5DU1262GTRFBC 具有多个显著的性能特点,使其适用于广泛的电子应用领域。首先,其16位的数据总线宽度可以支持较高的数据传输速率,适用于需要高速存取的应用场景。该芯片的256MB存储容量在嵌入式系统和中端计算设备中提供了良好的平衡,既能满足存储需求,又不会占用过多的系统资源。
其次,该芯片支持较宽的电压范围(2.3V至3.6V),使其能够在不同的电源条件下稳定工作,增强了其在各种环境中的适应能力。此外,H5DU1262GTRFBC 采用TSOP(薄型小外形封装)封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于空间受限的设计。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,表明其具备较强的环境适应能力,能够在工业级温度范围内可靠运行。这一特性使其适用于工业控制、通信设备和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场景。
H5DU1262GTRFBC 主要用于需要较高内存性能的设备和系统。常见的应用包括嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品(如数字电视、机顶盒)以及中低端计算机外设。由于其具备较高的数据访问速度和良好的环境适应性,该芯片也常用于需要长期稳定运行的工业和通信设备中。
IS42S16400J-6T, MT48LC16M2A2B4-6A