时间：2025/6/4 0:08:09
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FN18N8R0D500PSG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，专为需要高效率和低损耗的应用而设计。该器件采用了先进的制造工艺，确保了其在各种条件下的稳定性和可靠性。FN18N8R0D500PSG适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他电力电子应用领域。
该型号中的数字和字母编码表示了其主要参数特性：例如额定电压、电流等级以及封装形式等。其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少能量损耗并提高系统效率。
类型：N沟道
最大漏源电压Vds：800V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏极电流Id：18A
导通电阻Rds(on)：0.045Ω（典型值，在Vgs=10V时）
功耗Pd：375W
工作温度范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
FN18N8R0D500PSG具有出色的电气性能和热性能，具体特点包括：
1. 高击穿电压：高达800V的耐压能力使其非常适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：其典型值仅为0.045Ω，有助于降低导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度：优化的设计使得该器件能够在高频条件下保持高效运行。
4. 热稳定性强：可在较宽的工作温度范围内稳定工作，适合恶劣环境下的应用。
5. 封装坚固可靠：采用TO-247标准封装，提供良好的散热能力和机械强度。
6. 安全工作区大：可承受较高的瞬态电压和电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：
- AC/DC适配器
- 逆变器
2. 电机驱动：
- 工业自动化设备中的伺服电机控制
- 家电产品如空调、冰箱等中的压缩机驱动
3. DC-DC转换器：
- 汽车电子系统
- 能量存储装置中的电压调节模块
4. 其他电力电子设备：
- UPS不间断电源
- 太阳能微逆变器
FN18N8R0D500PSG凭借其优异的性能表现，成为这些应用的理想选择。
STW18N80Z
FDP18N80C
IRFP180N
IXTH18N80L
