容量：8GB
　　类型：HBM2E（High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced）
　　数据传输速率：高达3.6Gbps/pin
　　工作电压：1.3V（VDD）/1.8V（VPP）
　　封装形式：堆叠式TSV（Through Silicon Via）封装
　　引脚数：1024个
　　带宽：约460GB/s（基于3.6Gbps速率）
　　温度范围：0°C至+95°C
　　封装尺寸：约7.5mm x 7.5mm
　　制造工艺：基于先进制程工艺

H5AN8G8NDJR-VKC 采用先进的堆叠式TSV（Through Silicon Via）技术，使得多个DRAM芯片垂直堆叠连接，从而显著提高存储密度和数据传输带宽。这种封装方式不仅减少了芯片的物理占用空间，还降低了信号传输延迟，提高了系统的整体效率。
　　该芯片支持高达3.6Gbps的数据传输速率，远高于传统的GDDR5或GDDR6显存，使其非常适合用于需要大量数据并行处理的高性能计算和图形处理应用。同时，HBM2E标准还支持更高的容量扩展能力，允许未来推出更大容量的版本。
　　为了适应高功耗的应用场景，H5AN8G8NDJR-VKC 采用了优化的电源管理设计，能够在提供高带宽的同时，保持较低的功耗和热量生成。此外，该芯片具备良好的热管理和稳定性设计，能够在高温环境下稳定运行，适用于各种严苛的工作条件。
　　H5AN8G8NDJR-VKC 还支持多种高级功能，包括错误校正码（ECC）、刷新管理、温度传感器等，确保数据的完整性和可靠性。这些特性对于数据中心、AI训练和推理、高性能图形渲染等应用场景尤为重要。

H5AN8G8NDJR-VKC 主要应用于需要高带宽存储的高性能计算设备，如NVIDIA A100、AMD Instinct MI210等高端GPU和AI加速卡。由于其极高的带宽和低延迟特性，它在深度学习训练、大规模科学计算、实时渲染、数据中心加速器和网络交换设备中发挥着关键作用。
　　在图形处理方面，该芯片可显著提升GPU在复杂图形渲染和视频处理中的性能，适用于游戏主机、专业图形工作站和虚拟现实（VR）设备。在AI和机器学习领域，H5AN8G8NDJR-VKC 能够支持快速的数据处理和模型训练，提升AI推理和深度学习算法的效率。
　　此外，该芯片还可用于高性能网络设备、FPGA加速卡、自动驾驶计算平台以及边缘计算设备等需要快速数据处理能力的高端电子系统。

H5AN8G8NDBR-VKC, H5AN8G8NDJR-VKC 的升级型号可能包括HBM3系列芯片如H5T8G8826Axx（HBM3 8GB），以及竞争对手如三星的HBMLP08G4RAM1C-X11或美光的HBM2E型号如MT61K512A256A4-12H