时间：2025/9/1 17:06:46
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H5AN8G8NCJR-WMC是一款由SK Hynix公司制造的DRAM内存芯片。这款内存芯片被广泛应用于各种高性能计算设备中，如智能手机、平板电脑以及嵌入式系统。H5AN8G8NCJR-WMC属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率4代）系列的内存芯片，具有较高的数据传输速率和较低的功耗，非常适合对能耗敏感的移动设备和便携式电子产品。
内存类型：LPDDR4
容量：8Gb
封装类型：BGA
数据速率：3200Mbps
工作电压：1.1V
数据宽度：8位
接口类型：并行
封装尺寸：100-ball
工作温度范围：-40°C至85°C
H5AN8G8NCJR-WMC作为LPDDR4内存芯片，具备多项优异的特性。首先，它的工作电压为1.1V，相比前代LPDDR3内存的1.2V进一步降低了功耗，提高了设备的电池续航能力。
其次，该芯片支持3200Mbps的数据传输速率，这使得数据读写更加高效，能够满足高性能处理器对内存带宽的需求。
此外，H5AN8G8NCJR-WMC采用100-ball BGA封装形式，具有较高的封装密度和良好的散热性能，适用于高密度PCB设计。其工作温度范围为-40°C至85°C，能够在较严苛的环境中稳定运行。
这款内存芯片还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式等，可以根据设备的实际运行状态动态调整功耗，进一步延长设备的使用时间。
同时，H5AN8G8NCJR-WMC具备良好的兼容性和稳定性，能够与多种处理器和控制器配合使用，适用于广泛的电子设备设计。
H5AN8G8NCJR-WMC广泛应用于各类移动设备和嵌入式系统中。例如，它常被用作智能手机和平板电脑的主内存，为高性能应用处理器提供高速数据存储和访问能力。在高端智能穿戴设备中，这款内存芯片的低功耗特性可以有效延长设备的续航时间。此外，H5AN8G8NCJR-WMC也适用于需要大容量内存和高速数据处理能力的物联网设备、车载电子系统以及工业控制设备。
H5AN8G8NCA-WMC
