时间：2025/8/13 11:39:45
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LBSS84LT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于便携式电子设备、电池管理系统和负载开关等场合。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-100mA
导通电阻（RDS(on)）：最大值为2.8Ω（在VGS = -4.5V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
LBSS84LT1G MOSFET具有多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在导通状态下功率损耗极低，提高了系统的能效。其次，该器件具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频操作环境。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（-4.5V至-10V），便于与多种控制电路兼容。其P沟道结构设计使其在低压应用中表现出色，尤其是在电池供电设备中，可以有效延长电池寿命。LBSS84LT1G还具有良好的热稳定性和抗静电能力，确保了在恶劣环境下的可靠性与稳定性。最后，其采用SOT-23小型封装，适合高密度PCB布局，有助于减小整体电路尺寸。
LBSS84LT1G MOSFET主要用于低功耗、小电流的开关控制场合。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）中的电源管理电路、电池充放电保护电路、LED驱动电路、负载开关和信号切换电路等。此外，它也可用于各类传感器模块、无线通信模块以及低功耗IoT设备中的电源控制部分。
Si2302DS, BSS84P, FDN304P, DMG2302UX
