时间：2025/8/14 22:10:58
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PJF13NA50是一种功率场效应晶体管（Power MOSFET），通常用于高功率和高电压的电子应用中。这款MOSFET采用N沟道结构，具有较高的电压和电流承受能力，适合用于开关电源、逆变器、马达驱动和各种功率控制设备中。PJF13NA50的高可靠性和性能使其成为工业和消费类电子产品中常见的功率器件之一。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：500V
漏极电流（Id）：13A
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值约为0.45Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
PJF13NA50具备多项优异的电气和物理特性，能够满足高要求的功率应用需求。首先，其500V的漏极-源极电压（Vds）使其适用于中高电压环境，例如开关电源和工业控制设备。13A的最大漏极电流（Id）确保该器件可以在较高负载下稳定运行。此外，其导通电阻Rds(on)的典型值较低，有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。
该MOSFET采用TO-220封装，这种封装形式不仅具备良好的散热性能，还易于安装和使用，适用于多种电路设计环境。PJF13NA50的栅极-源极电压范围较宽，允许±30V的输入，这增强了器件在复杂控制电路中的适应能力。此外，该器件的工作温度范围从-55°C到+150°C，具有较强的环境适应性，能够在极端温度条件下正常工作。
在可靠性方面，PJF13NA50具备较高的耐用性，能够承受瞬态过载和高电压应力，适用于长期运行的工业设备和高可靠性应用场景。这些特性使其成为设计高效率功率转换系统时的理想选择。
PJF13NA50广泛应用于各种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、马达驱动器和电源管理系统。它还适用于工业控制、家电和电源管理模块等场景。此外，由于其高电压和电流处理能力，该器件也常用于LED照明驱动电路和电源调节系统中。
13N50, IRF840, FDPF13N50
