H5AN8G6NAFR-VKC 是一款由 SK Hynix 生产的 NAND 闪存芯片,采用 3D TLC 技术。该芯片主要用于需要大容量存储和高可靠性的应用中,例如固态硬盘 (SSD)、嵌入式存储设备以及工业级存储解决方案。其设计结合了高性能与低功耗的特点,能够满足现代电子设备对存储速度和能效的严格要求。
这款芯片的封装形式为 BGA(球栅阵列),具有紧凑的设计和良好的散热性能,适合空间受限的应用环境。
容量:8GB
接口:Toggle DDR 2.0
工作电压:1.8V
数据传输速率:400MT/s
封装形式:BGA
I/O 引脚数:24
工艺技术:3D TLC
擦写寿命:约 3000 次
H5AN8G6NAFR-VKC 提供高达 8GB 的存储容量,并使用 Toggle DDR 2.0 接口以实现高速数据传输。其 3D TLC 架构显著提升了存储密度,同时降低了单位成本。芯片的工作电压为 1.8V,有助于减少能耗,延长设备电池寿命。
此外,该芯片具备强大的纠错功能和耐用性,使其非常适合在恶劣环境中运行。它的擦写寿命约为 3000 次,对于一般的消费级和工业级应用来说已经足够。由于采用了 BGA 封装,它还可以提供更优的电气性能和散热效果。
H5AN8G6NAFR-VKC 芯片广泛应用于各种需要大容量存储的场景,包括但不限于:
1. 固态硬盘 (SSD):作为核心存储介质,提升读写性能。
2. 嵌入式系统:如工业控制设备、车载系统等,提供可靠的存储支持。
3. 移动设备:如平板电脑和智能手机,用于扩展内部存储。
4. 网络通信设备:如路由器和交换机,用于存储操作系统或用户数据。
这种芯片凭借其高性能和可靠性,特别适用于需要频繁读写操作且对数据完整性要求较高的场合。
H5AN8G6N2MNR-TIN, H5AN8G6N2AFR-VKC