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HY57V281620HCLT-HI 发布时间 时间:2025/9/2 5:23:22 查看 阅读:8

HY57V281620HCLT-HI 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于异步DRAM,采用16M x 16位的存储结构,总容量为256Mb。这款芯片适用于需要中等容量高速存储的应用场景,例如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),工作温度范围广泛,适合工业级应用环境。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16位
  封装类型:TSOP
  引脚数:54引脚
  工作电压:3.3V
  最大访问时间:5.4ns
  最大工作频率:166MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

HY57V281620HCLT-HI 的主要特性之一是其高速存取能力,最大访问时间仅为5.4ns,使其能够在高频环境下稳定运行。该芯片采用异步控制方式,无需与系统时钟同步,简化了电路设计。
  此外,该芯片支持低功耗模式,包括自动刷新和自刷新功能,有助于在不使用时降低功耗,适用于对能效有一定要求的应用场景。
  其TSOP封装设计不仅节省空间,还具有良好的散热性能,适用于紧凑型电子设备。工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)确保了其在严苛环境下的稳定性。
  HY57V281620HCLT-HI 还具备较强的抗干扰能力,适合在电磁环境复杂的工业控制系统中使用。

应用

该芯片广泛应用于工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、打印机、扫描仪以及网络设备等领域。由于其高速性和稳定性,HY57V281620HCLT-HI 常用于需要快速数据处理和存储的场合。例如,在通信设备中可作为数据缓冲存储器,在工业控制中用于实时数据处理和暂存。同时,其低功耗特性也使其适用于便携式或嵌入式设备,有助于延长设备的使用寿命并提升系统稳定性。

替代型号

IS42S16256B-6T、CY7C1041CV33-10ZSXI、MT58L128A2B4-6A

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