容量：4GB
　　封装类型：BGA
　　接口类型：ONFI 2.3
　　工作温度：-25°C 至 +85°C
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　擦除速度：块擦除时间约2ms
　　存储结构：NAND闪存结构，支持多层单元（MLC）技术
　　块大小：128KB
　　页面大小：2KB
　　ECC要求：需要外部ECC校正机制

H5AN4G6NAFR-UHIR 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，适用于多种嵌入式和便携式设备。该芯片采用先进的MLC（多层单元）技术，实现更高的存储密度和更低的单位成本，同时保持良好的数据保存能力。其ONFI 2.3接口标准提供了与主控芯片的良好兼容性，支持多种主流控制器。此外，该芯片支持错误校正码（ECC）功能，确保数据在高频率读写过程中的完整性。H5AN4G6NAFR-UHIR 还具备较高的耐用性和数据保留能力，可在恶劣的工业环境下稳定工作，适合工业控制、车载系统、安防监控等应用场景。
　　在功耗管理方面，H5AN4G6NAFR-UHIR 提供多种低功耗模式，包括待机模式和深度睡眠模式，以适应不同设备的电源管理需求。其BGA封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提升了芯片的散热性能和机械稳定性。此外，该芯片支持坏块管理，能够在出厂时标记不可靠的存储块，从而提高整体系统的可靠性。

H5AN4G6NAFR-UHIR 主要应用于需要大容量非易失性存储的设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、工业控制设备、车载信息娱乐系统、安防监控设备以及各种嵌入式系统。该芯片也可用于固态硬盘（SSD）和USB存储设备中，提供稳定可靠的数据存储方案。此外，该芯片适用于需要频繁数据读写和长时间运行的工业设备，如POS终端、数据采集器和自动化控制系统。

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