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H5TQ4G63MFR-PBC 发布时间 时间:2025/9/2 11:21:33 查看 阅读:13

H5TQ4G63MFR-PBC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高性能存储的电子设备中。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺,具有较高的数据存取速度和稳定性,适用于消费电子、工业控制、网络设备以及嵌入式系统等领域。

参数

容量:4Gbit
  类型:DRAM
  封装类型:FBGA
  数据速率:1600Mbps
  电压:1.35V/1.5V
  接口类型:x32
  时钟频率:800MHz
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5TQ4G63MFR-PBC 是一款高性能的DRAM存储芯片,其主要特性包括高速数据传输、低功耗设计以及良好的稳定性。
  首先,该芯片的数据传输速率高达1600Mbps,结合800MHz的时钟频率,能够满足高带宽应用的需求,如高清视频处理、高速缓存存储等。其x32接口设计也提高了数据传输效率,适合需要大量数据并行处理的系统。
  其次,H5TQ4G63MFR-PBC 支持1.35V和1.5V两种电压模式,提供了灵活的功耗管理选项。在1.35V的低电压模式下,该芯片能够在保证性能的同时显著降低功耗,适用于对能效要求较高的移动设备和嵌入式系统。
  此外,该DRAM芯片采用了FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于空间受限的高密度PCB设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适应工业级温度环境,适用于各种严苛的工作条件。
  该芯片还具备良好的兼容性,支持JEDEC标准的内存控制器接口,便于集成到现有的系统架构中。

应用

H5TQ4G63MFR-PBC 主要应用于高性能计算设备、服务器、网络交换机、路由器、工业控制设备、嵌入式系统、消费类电子产品(如高端智能手机、平板电脑、智能电视)等需要高速内存支持的场景。由于其低功耗和高稳定性的特点,也适用于需要长时间运行的工业和网络设备。

替代型号

H5TQ4G63AFR-PBC, H5TQ4G63FFR-PBC, MT48LC16M16A2B4-6A, K4B4G1646Q-BCMA

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