时间：2025/9/2 14:02:19
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H57V6462GTR-70C 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于EDO DRAM类别，主要用于需要高带宽和低延迟的电子设备和系统中。该型号的封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于各种工业级应用。该DRAM芯片具有64Mbit的存储容量，采用x16的组织结构，使其在图像处理、嵌入式系统和网络设备等领域中具有广泛的应用。
容量：64 Mbit
组织结构：x16
类型：EDO DRAM
封装类型：TSOP
工作电压：3.3V
访问时间：70ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据宽度：16位
接口类型：并行
时钟频率：最大可达143MHz
封装尺寸：54引脚TSOP
功耗：典型值1.5W
刷新周期：64ms
H57V6462GTR-70C 是一款高性能的EDO DRAM存储器，具备低功耗和高速数据访问能力，其访问时间为70ns，适用于对响应时间要求较高的系统设计。该芯片的TSOP封装形式有助于减少电路板空间占用，同时提供良好的散热性能，适用于紧凑型设计。该芯片支持标准的3.3V电源供电，确保了其与大多数现代控制器的兼容性。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其适用于各种恶劣环境条件下的工业应用。
H57V6462GTR-70C 的x16数据结构使其在需要大量数据吞吐量的应用中表现出色，例如在图形控制器、网络交换机和通信设备中。该芯片的143MHz时钟频率支持高速数据传输，并且具备64ms的自动刷新周期，确保了数据的稳定性和可靠性。其并行接口设计允许直接连接到处理器或其他主控单元，简化了系统架构并减少了额外逻辑的需求。
这款DRAM芯片还具备较高的集成度，有助于减少系统中存储器模块的数量，从而降低整体系统成本。其低待机电流特性也有助于延长便携设备的电池寿命。此外，该芯片的制造工艺采用了先进的CMOS技术，提供了良好的抗干扰能力和稳定性。
H57V6462GTR-70C 主要应用于需要高速数据处理和存储的工业和通信设备。常见的应用包括嵌入式系统、网络路由器和交换机、图像处理模块、视频采集和显示设备、工业自动化控制设备以及便携式电子产品。在图像处理领域，该芯片可用于存储和缓存图像数据，提高图像处理速度和响应能力。在网络设备中，它可作为高速缓冲存储器，提高数据包处理效率。在嵌入式系统中，它可用于支持实时操作系统和应用程序的运行。
IS61LV6462-70BLLI-TR
CY62148EVLL-70ZS
ISSI IS61LV6462-70BLL
