G3VM-21DR(TR) 时间：2025/10/24 14:12:31 阅读：8

G3VM-21DR(TR)是欧姆龙（OMRON）公司生产的一款MOSFET输出型固态继电器（SSR），采用小型表面贴装封装，适用于需要高密度安装和低功耗控制的应用场合。该器件属于光继电器系列，通过输入端的发光二极管（LED）激发光敏MOSFET结构，从而实现输入与输出之间的电气隔离和开关功能。其TR后缀表示产品为卷带包装，适合自动化贴片生产线使用，广泛应用于通信设备、工业自动化、测试测量仪器以及办公自动化设备中。
　　G3VM-21DR(TR)具备单通道常开（NO）触点结构，能够在不产生机械磨损的情况下完成高频信号或电源的切换操作。由于采用了先进的光耦合技术与功率MOSFET输出级设计，该器件具有较长的使用寿命、快速响应时间和优异的抗干扰能力。此外，它支持直流负载控制，可替代传统电磁继电器以减少噪音、振动和电磁干扰问题，特别适合对可靠性要求较高的精密电子系统。

参数

类型：MOS FET继电器（双向）
　　输入正向电压：1.15 V
　　输入反向电压：5 V
　　输出导通电阻：典型值6 Ω，最大值8 Ω
　　连续负载电流（Io）：340 mA
　　峰值负载电流（Iop）：1.2 A
　　负载电压（Vo）：60 V
　　绝缘电压（Viso）：5000 Vrms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　封装形式：SMD-4引脚
　　尺寸：约3.8 × 3.8 × 2.1 mm
　　接通时间：0.5 ms
　　关断时间：0.5 ms
　　输入电流（IF）：最大50 mA
　　LED触发电流（IFON）：5 mA 最小，10 mA 典型
　　保持电流（IFOFF）：0.5 mA 典型

特性

G3VM-21DR(TR)的核心优势在于其无触点开关机制和高集成度的小型化设计，能够显著提升系统的长期稳定性和抗环境干扰能力。该器件采用光电驱动方式，输入端由一个红外LED构成，当施加适当的正向电流时，LED发出光线激活输出侧的光敏MOSFET阵列，形成电流通路。这种结构避免了传统电磁继电器因机械触点老化、弹跳或氧化而导致的失效问题，极大延长了使用寿命，并可在高振动或频繁开关场景下可靠运行。
　　其输出部分采用一对背对背连接的N沟道功率MOSFET，使得器件可以控制交流或直流负载，具备双向导通能力。这种配置允许电流在两个方向上流动，非常适合用于模拟信号切换或多极性电源管理应用。同时，低至6Ω的典型导通电阻确保了较小的压降和功率损耗，提高了整体能效表现，尤其适用于电池供电或低功耗系统。
　　封装方面，G3VM-21DR(TR)采用紧凑的SOP-4表面贴装封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该封装还提供了良好的热传导性能和电气隔离特性，结合高达5000Vrms的输入-输出绝缘电压，满足多种安全标准要求，适用于医疗设备、工业控制系统等需要强电隔离的场合。
　　另外，该器件具有快速响应能力，开通和关断时间均仅为0.5ms，能够实现高速信号切换，适用于数据采集系统或多路复用电路中的动态控制需求。输入驱动逻辑兼容低电压CMOS/TTL电平，仅需5mA即可触发导通，降低了控制器端口的驱动负担，提升了系统兼容性。

应用

G3VM-21DR(TR)因其小型化、高可靠性和低驱动电流特性，被广泛应用于多个领域。在通信设备中，常用于电话交换系统、网络路由器和光纤接入模块中的信号路径切换；在工业自动化系统中，可用于PLC模块、传感器接口电路以及远程I/O单元中的直流负载控制。
　　在测试与测量仪器领域，如自动测试设备（ATE）、数据记录仪或多通道扫描系统，该器件可用于构建高寿命、低噪声的多路开关矩阵，实现精准的信号路由而不引入额外失真或接触电阻变化。
　　此外，在办公自动化设备如打印机、复印机和扫描仪中，G3VM-21DR(TR)可用于控制加热器、电机驱动电路或其他辅助电源模块的通断，替代传统电磁继电器以降低电磁干扰和机械故障率。
　　医疗电子设备中也常见其身影，例如病人监护仪、便携式诊断设备等，利用其高绝缘性能和长寿命特点保障患者安全与设备稳定性。同时，由于其支持表面贴装工艺，非常适合现代SMT生产线的大规模自动化组装，有助于提高生产效率并降低制造成本。