H57V6462GTR-60 时间：2025/9/1 12:32:26 阅读：10

H57V6462GTR-60是一种高速、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于Hynix（现为SK Hynix）生产的移动式DRAM系列，专为高性能便携设备设计。该芯片采用CMOS工艺制造，适用于移动电话、智能终端、平板电脑以及其他对功耗敏感的嵌入式系统。

参数

容量：64Mbit
　　组织结构：4 Banks x 64K x 256 Word
　　电压：2.3V - 3.6V（典型值为3.3V）
　　访问时间：60ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装尺寸：54引脚TSOP
　　封装型号：TSOP-II

特性

H57V6462GTR-60具备高速访问能力，其访问时间仅为60ns，适用于需要快速响应的系统应用。
　　该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问时依然保持完整。
　　具有CMOS兼容输入/输出电平，便于与多种主控芯片连接。
　　内置写保护功能，可防止在电源不稳定时意外写入数据，提高系统稳定性。
　　适用于工业级温度范围，确保在各种恶劣环境下稳定运行。