类型：N 沟道 MOSFET
　　技术：碳化硅（SiC）
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　输入电容（Ciss）：2500pF

CT304B-800S 的最大优势在于其采用碳化硅材料，相较于传统的硅基 MOSFET，具有更低的导通损耗和开关损耗，能够在更高的频率下运行，从而提高整体系统的效率。
　　其 800V 的最大漏源电压使其适用于高电压系统，同时具备良好的热管理性能，允许在高温环境下稳定运行。
　　此外，CT304B-800S 的 TO-247 封装设计有助于散热，简化了在高功率应用中的安装和使用过程。
　　由于碳化硅的物理特性，该器件还具备更高的击穿电场强度和更好的热导率，使其在极端工作条件下依然保持稳定性和可靠性。
　　这些特性使其成为电动汽车充电系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及高频开关电源的理想选择。

CT304B-800S 广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。例如，它被广泛用于电动汽车的车载充电器（OBC）和电机驱动系统，提高能效并减少发热。
　　在可再生能源领域，CT304B-800S 被用于太阳能逆变器和储能系统，以提升转换效率和系统可靠性。
　　工业电源、服务器电源、高频开关电源以及电力调节设备也常常采用该器件，以满足高效能和小型化设计的需求。
　　此外，该器件也适用于需要快速开关和高温稳定性的工业自动化设备和电力控制系统。

C3M0060065J, SCT3040KL, SiC MOSFET 800V 30A TO-247