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H55S5122DFR-60M 发布时间 时间:2025/9/2 11:02:07 查看 阅读:10

H55S5122DFR-60M 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速存储器类别。这款芯片主要设计用于需要高性能和高稳定性的电子设备中,例如工业控制、网络设备、计算机外设等。H55S5122DFR-60M 的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具备较好的散热性能和可靠性,适合在多种应用场景中使用。

参数

容量:512Mbit
  组织结构:16M x32
  电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP-II
  引脚数:54
  时钟频率:60MHz
  数据速率:60MHz
  访问时间:5.4ns
  刷新周期:64ms

特性

H55S5122DFR-60M 是一款高性能的DRAM芯片,具备高速访问能力和较大的存储容量,适用于需要快速数据处理的应用场景。
  这款DRAM芯片的工作电压范围较宽,为2.3V至3.6V,使其能够在不同的电源条件下稳定运行,增强了其在各种电子设备中的兼容性。此外,H55S5122DFR-60M 的工作温度范围为-40°C至+85°C,表明其具备良好的温度适应能力,适合在工业环境或恶劣条件下使用。
  该芯片采用TSOP-II封装技术,具有较小的封装体积和较好的热管理性能,有助于减少电路板空间占用并提高系统的稳定性。54引脚的封装设计使其能够方便地集成到各种电路板中。
  H55S5122DFR-60M 的时钟频率为60MHz,数据速率达到60MHz,访问时间为5.4ns,能够满足高速数据存取的需求。64ms的刷新周期确保了数据在断电前能够被有效保存,减少了数据丢失的风险。
  由于其高性能和可靠性,H55S5122DFR-60M 常用于需要长时间稳定运行的系统中,如工业控制设备、网络路由器、交换机以及嵌入式系统等。

应用

H55S5122DFR-60M 主要应用于需要高速存储和稳定性能的电子设备中。其主要应用领域包括工业控制设备、网络设备(如路由器和交换机)、嵌入式系统以及计算机外围设备。此外,该芯片也可用于消费类电子产品,如数字电视、机顶盒和多媒体播放器,以提供快速的数据存储和处理能力。

替代型号

H57V5122FTP-6B

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H55S5122DFR-60M参数

  • 内存配置:16M x 32
  • 访问时间:6ns
  • 接口类型:LVCMOS
  • 封装类型:FBGA
  • 针脚数:90
  • 工作温度范围:-30°C 到 +85°C
  • 内存类型:SDRAM
  • 存储器容量:512 Mbit
  • 电压, Vcc:1.8V
  • 表面安装器件:表面安装