时间：2025/8/6 4:30:56
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IXTT36P10是一款由IXYS公司生产的P沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和电机控制等领域。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性。适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：36A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大55mΩ
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
IXTT36P10 MOSFET具备极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流能力使其适用于高功率密度设计。
此外，它具有快速开关特性，可减少开关损耗，适用于高频开关应用。
其耐用的TO-247封装提供了良好的热性能和机械稳定性，确保在严苛环境下的可靠运行。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，可在突发高电压情况下保护器件不受损坏。
由于其增强型设计，IXTT36P10在关闭状态下漏电流极低，提高了系统的能效和稳定性。
IXTT36P10常用于多种高功率应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统以及工业电源设备。它也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动车控制系统等需要高可靠性和高效率的场合。
IXTT36P10可替代的型号包括IRF9540N、IXTP36P10A和IXTP36P10P。
