类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

3N85具有多项优良的电气特性，能够提供高效的功率控制能力。其漏源电压为500V，适用于中高功率应用，能够稳定地工作在较高的电压条件下。栅源电压为±30V，保证了栅极控制信号的安全范围，避免过压损坏器件。
　　该MOSFET的导通电阻为0.65Ω，在工作过程中可以有效降低导通损耗，提高整体效率。同时，其连续漏极电流为8A，能够在较大电流条件下稳定运行，适用于高负载应用，如开关电源和电机驱动。
　　3N85的功率耗散能力为50W，具备较强的热稳定性，能够承受较高的工作温度。工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。TO-220封装形式不仅便于安装，还提供了良好的散热性能，确保器件在高功率下仍能保持稳定工作。
　　此外，该器件具有较高的可靠性和耐用性，能够在长时间运行中保持性能稳定，适用于工业控制、电源管理和电子设备的功率开关应用。

3N85广泛应用于多种电子设备和系统中，主要用于功率开关控制。其高耐压和高电流特性使其适用于开关电源设计，特别是在AC/DC转换器和DC/DC转换器中，能够高效地进行能量转换。
　　在电机控制领域，3N85可用于直流电机和步进电机的驱动电路，提供稳定的开关控制，实现调速和方向控制等功能。此外，它也适用于负载管理，如继电器替代、加热元件控制和LED照明系统的功率调节。
　　由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，3N85还常用于逆变器、UPS（不间断电源）和变频器等工业设备中，作为核心的功率开关元件。在消费电子产品中，如智能家电、电源适配器和充电器中也有广泛应用。

IRF840, 2N6782, BUZ11, FQP8N50