类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：160V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：175A
　　导通电阻（Rds(on)）：7mΩ
　　功率耗散（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247

VTO175-16N07 MOSFET 具有多个显著的技术特性。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）仅为7mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗非常低，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具有较高的额定漏极电流（Id）为175A，能够支持大电流负载，适用于需要高功率处理能力的场合。此外，其漏源电压（Vds）为160V，使其能够在高压环境下稳定运行。
　　这款MOSFET还具有良好的热性能，封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下也能保持稳定的工作温度。VTO175-16N07的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的栅极驱动器进行控制，从而简化了设计。同时，该器件的开关速度快，减少了开关损耗，非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统。
　　此外，该MOSFET在设计中考虑了耐用性和可靠性，能够在高温环境下长时间运行而不发生性能退化。这使其非常适合用于工业自动化、电动汽车和可再生能源系统等苛刻环境中的功率控制。

VTO175-16N07 MOSFET 广泛应用于多种高功率电子系统中。其主要应用领域包括：电源管理系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和负载开关；电机驱动和控制电路，例如工业自动化设备和电动工具；以及新能源领域，如太阳能逆变器和电动车动力系统。此外，它还适用于不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）和功率因数校正（PFC）电路等对效率和稳定性要求较高的场合。由于其高电流能力和快速开关特性，VTO175-16N07也非常适合用于高频开关电路，如谐振转换器和软开关拓扑结构。

SiHF175N16D | FDP175N16D | IRLB8726PbF