时间：2025/7/9 18:13:10
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CKP2520N2R2M-T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用增强型常关（E-Mode）结构，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、无线充电及射频功放等领域。
其封装形式为行业标准的DFN8（2mm x 2mm），支持表面贴装工艺，具备良好的热性能和电气稳定性。
型号：CKP2520N2R2M-T
额定电压：200V
额定电流：10A
导通电阻：2.2mΩ
栅极电荷：30nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DFN8（2mm x 2mm）
CKP2520N2R2M-T 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻（2.2mΩ），可显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力，支持高达5MHz的工作频率，满足高频应用需求。
3. 增强型常关结构确保安全可靠运行，无需复杂的驱动电路。
4. 热性能优越，能够承受高温环境下的长期运行。
5. 高度集成的小型封装（2mm x 2mm），节省PCB空间。
6. 宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应各种极端环境。
CKP2520N2R2M-T 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 无线充电模块，特别是在需要高效能量传输的应用中。
3. 射频功率放大器（RF PA），用于通信设备。
4. 汽车电子系统，如车载充电器和逆变器。
5. 工业自动化设备中的高频驱动器和控制器。
6. 其他对效率和体积要求较高的功率转换场景。
CKP2520N2R5M-T
CKP2520N3R0M-T
