PQ15RW11 时间：2025/8/28 22:34:49 阅读：11

PQ15RW11是一款由罗姆（Rohm）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率电源转换应用设计，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和各种电源管理系统。PQ15RW11采用了先进的沟槽栅极工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用紧凑的封装形式，有助于节省PCB空间，适用于对尺寸和性能都有较高要求的应用场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

特性

PQ15RW11 MOSFET具有多项显著特性，首先其采用了罗姆先进的沟槽栅极技术，使得导通电阻（Rds(on)）非常低，仅为22mΩ，这有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，该器件的最大漏极电流可达15A，具备出色的电流承载能力，适合用于高功率密度设计。该MOSFET的漏源击穿电压为30V，适用于中低压功率转换应用，如DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路。
　　其次，PQ15RW11支持高达±20V的栅极电压，增强了其在不同驱动电路中的适应性，提高了栅极驱动的可靠性。该器件的封装形式为TO-252（也称为DPAK），这种表面贴装封装不仅便于自动化生产和散热管理，而且有助于减小PCB尺寸，提高系统集成度。TO-252封装具备良好的热性能，能够有效传导和散发工作过程中产生的热量，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　此外，PQ15RW11在高温环境下仍能保持良好的性能稳定性，其工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和车载级应用场景。该MOSFET的总功率耗散为40W，能够在较高功率水平下可靠运行。由于其低导通电阻、高电流能力和良好的热管理特性，PQ15RW11在电源管理领域表现出色，尤其适用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的应用场合。

应用

PQ15RW11广泛应用于多种电源管理与功率控制电路中。其典型应用包括DC-DC降压和升压转换器，用于电信设备、服务器、工业自动化设备和便携式电子产品中的电源模块设计。此外，该MOSFET也适用于电机驱动器和H桥电路，用于机器人控制、电动工具和电动车的电机控制系统中。在电池管理系统（BMS）中，PQ15RW11可作为负载开关或充放电控制开关，实现高效能的能量管理。
　　该器件还可用于负载开关应用，例如在电源管理系统中作为主开关或辅助开关，控制电源的通断以实现节能和过载保护功能。在LED照明系统中，PQ15RW11可用于恒流驱动电路，以提高系统的能效和可靠性。此外，在车载电子系统中，例如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统中，PQ15RW11也能提供稳定的功率控制性能。由于其具备良好的热管理和高可靠性，PQ15RW11也适用于工业自动化设备中的电源转换与控制电路。