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H55S1G62MFP-60M-C 发布时间 时间:2025/9/2 8:51:05 查看 阅读:8

H55S1G62MFP-60M-C 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片设计用于高性能计算、嵌入式系统和图形处理等应用场景,具备较大的存储容量和较快的数据访问速度。该型号封装为FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array),适合高密度、高性能的电子设备设计。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  组织结构:x16位
  工作电压:2.3V ~ 3.6V
  工作温度范围:工业级(-40°C ~ +85°C)
  封装类型:FBGA
  引脚数量:54pin
  最大访问时间:5.4ns
  最大频率:166MHz

特性

H55S1G62MFP-60M-C 是一款高速DRAM芯片,具有较高的数据吞吐能力,适用于需要大量数据缓存的应用场景。其主要特性包括:
  1. 高速访问能力:支持高达166MHz的工作频率,满足高性能系统的数据处理需求;
  2. 宽电压范围:可在2.3V至3.6V之间稳定工作,适应多种电源设计环境;
  3. 工业级温度范围:可在-40°C至+85°C环境下运行,适用于工业控制、自动化设备等恶劣工作环境;
  4. 高集成度:采用FBGA封装,体积小、引脚密度高,有利于提高PCB布线效率和系统稳定性;
  5. 低功耗设计:在保持高性能的同时,优化功耗表现,适合对能效要求较高的嵌入式设备。

应用

H55S1G62MFP-60M-C 常被用于工业控制系统、嵌入式设备、网络通信设备、图形处理器和消费类电子产品中。其高速、低功耗和工业级温度特性使其成为工业自动化、数据采集系统、通信基站、视频监控设备等领域的理想选择。

替代型号

H57V2562GTFP-6B TMS62256ANL-55 TMS62256GNL-55 CY62167EVLL-45LLXI

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