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DMP4015SK3-13 发布时间 时间:2025/7/3 23:30:06 查看 阅读:14

DMP4015SK3-13是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Diodes Incorporated公司生产。该器件采用SO-8封装,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。其低导通电阻和高效率性能使其非常适合用于功率管理应用。
  该MOSFET的主要特点是具有较低的导通电阻(Rds(on))和良好的开关特性,能够在高频条件下保持高效运行。同时,它具备较高的电流处理能力和耐热性能,确保在各种复杂电路中的稳定性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关速度:快速
  封装形式:SO-8

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少功率损耗。
  2. 高雪崩能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  3. 快速开关性能,适用于高频应用场合。
  4. 热稳定性强,适合长时间连续工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 小巧的SO-8封装设计,便于PCB布局和安装。
  这款MOSFET在功耗敏感型应用中表现优异,例如笔记本电脑适配器、汽车电子系统和工业自动化设备中的功率转换模块。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 负载开关
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业逆变器及变频器
  由于其出色的电气特性和可靠性,DMP4015SK3-13成为了许多高性能功率转换和控制应用的理想选择。

替代型号

DMP4015SK3Q-13
  DMP4015SK3-7
  IRF7729TRPBF

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DMP4015SK3-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 9.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs47.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4234pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMP4015SK3-13DITR