类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：5A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

2N5680A的主要特性包括其低导通电阻和高耐压能力，使其在功率转换应用中表现出色。由于其N沟道结构，2N5680A在导通状态下能够提供较高的电流承载能力，同时保持较低的导通损耗。该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于各种严苛的工作环境。
　　此外，2N5680A的封装形式为TO-220，这种封装具有良好的散热性能，适合用于需要高功率耗散的应用。器件的栅极驱动电压范围为±20V，使其能够与多种驱动电路兼容，包括常见的PWM控制器和微处理器输出。
　　该MOSFET还具有较快的开关速度，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体效率。在实际应用中，2N5680A可以用于构建DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统等。由于其优异的性能，该器件也常用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中。

2N5680A广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、直流电机驱动器、电池充电器、逆变器、开关电源（SMPS）以及各类功率控制电路。它特别适合于需要高效能、高可靠性的电子设备，例如工业控制模块、汽车电子系统、智能家电和便携式电源设备等。由于其良好的热稳定性和低导通电阻，2N5680A也是设计高效能功率转换器的理想选择。

STP5NK60Z, IRF540, FDPF5N60, 2N5680