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H55S1222EFR-60M 发布时间 时间:2025/9/2 2:41:25 查看 阅读:12

H55S1222EFR-60M 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高速、低功耗的DRAM系列,广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备中,如个人电脑、服务器、嵌入式系统等。H55S1222EFR-60M 采用54MHz的时钟频率,具有较高的数据传输速率和稳定性,适用于需要高速数据处理的场景。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1M x 16
  电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  时钟频率:166MHz
  工作温度范围:0°C至70°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据宽度:16位
  

特性

H55S1222EFR-60M 采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗和高集成度的特点。其高速存取能力和稳定的工作性能使其适用于多种高性能计算设备。该芯片支持异步和同步两种工作模式,用户可以根据实际需求进行灵活配置。此外,H55S1222EFR-60M 还具有较强的抗干扰能力和可靠性,能够在复杂的工作环境中保持稳定运行。其TSOP封装形式有助于减少PCB板上的空间占用,并提高散热效率。
  该芯片的数据传输速率可达166MHz,能够满足高速数据处理的需求。其低功耗设计不仅有助于延长设备的使用寿命,还能降低整体系统的能耗。H55S1222EFR-60M 还具有良好的兼容性,可以与其他标准DRAM芯片互换使用,便于系统升级和维护。

应用

H55S1222EFR-60M 主要应用于需要高性能内存支持的设备,如个人电脑、服务器、工作站、嵌入式系统、工业控制设备等。它适用于需要高速数据处理和存储的应用场景,例如图像处理、视频编辑、数据库管理、网络通信等。由于其稳定的工作性能和广泛的兼容性,H55S1222EFR-60M 也常用于消费类电子产品中,如高清电视、游戏机、多媒体播放器等。

替代型号

H57V1222D4BPC-6B, KM681000BJ-60, CY7C1021BN-10ZSXC

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