时间：2025/9/1 14:16:43
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H54G46BYYVX053N是一款由现代（Hyundai）公司生产的存储芯片，属于DRAM（动态随机存取存储器）类别。这款芯片设计用于提供高速数据存储和访问功能，广泛应用于需要大量内存支持的电子设备中。H54G46BYYVX053N以其高性能和可靠性著称，适用于各种需要稳定内存解决方案的应用场景。
类型：DRAM
容量：4GB
封装类型：FBGA
电压：1.2V
接口：LPDDR4
H54G46BYYVX053N具有低功耗设计，能够在保证高性能的同时减少能源消耗。其FBGA封装提供了良好的散热性能，确保了在高负载下的稳定性。该芯片支持高速数据传输，适用于需要快速内存访问的应用。此外，H54G46BYYVX053N具备较高的可靠性和耐用性，能够在多种环境条件下稳定工作。其1.2V的工作电压不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，从而提高了整体的系统效率。这款DRAM芯片的LPDDR4接口支持高带宽的数据传输，使得数据处理更加高效。
H54G46BYYVX053N主要用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备，这些设备需要高性能的内存支持以确保流畅的操作体验。此外，它也适用于服务器和工作站，提供稳定的内存解决方案。在嵌入式系统中，该芯片可以为需要大量内存的应用提供支持。H54G46BYYVX053N还适用于需要高速数据处理的工业控制系统和网络设备。
H5AN4G6NDFR053N, H54G46BYYVX053N
