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MR0D08BMA45R 发布时间 时间:2025/5/7 15:28:36 查看 阅读:14

MR0D08BMA45R 是一款由罗姆(ROHM)生产的汽车级 MOSFET,具体为 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 LFPAK56E 封装,具有低导通电阻和高可靠性特点,专为汽车电子应用而设计,能够满足严格的 AEC-Q101 标准要求。
  这款 MOSFET 主要用于汽车中的电源管理、负载开关以及电机驱动等场景,因其出色的性能和稳定性,被广泛应用于现代汽车电子系统中。

参数

最大漏源电压:45V
  连续漏极电流:-24A
  导通电阻:1.3mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  输入电容:1020pF(典型值)
  工作结温范围:-40℃至+175℃
  封装形式:LFPAK56E

特性

MR0D08BMA45R 的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻 (RDS(on)),可显著降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 高额定电流能力,使其适用于需要大电流处理的汽车应用。
  3. 符合 AEC-Q101 标准,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  4. 提供快速开关速度,同时具备较低的栅极电荷,从而优化开关性能并减少能量损耗。
  5. 工作温度范围宽广,支持极端环境条件下的稳定操作。
  6. 小型化封装设计,有助于节省 PCB 空间,非常适合空间受限的应用。
  这些特性使 MR0D08BMA45R 成为汽车电子领域中高性能和高可靠性的理想选择。

应用

MR0D08BMA45R 广泛应用于以下领域:
  1. 汽车 DC/DC 转换器和逆变器电路。
  2. 汽车电机控制及驱动电路。
  3. 各类负载开关应用,例如 LED 驱动和继电器替代。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的功率路径管理。
  5. 汽车信息娱乐系统的电源管理模块。
  6. 其他需要高效率、高可靠性功率开关的汽车电子设备。
  凭借其卓越的性能和适应性,MR0D08BMA45R 在汽车行业中具有广泛的应用前景。

替代型号

MR0D08BMA45T

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MR0D08BMA45R参数

  • 标准包装1,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型MRAM(磁阻 RAM)
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳48-LFBGA
  • 供应商设备封装48-FBGA(8x8)
  • 包装带卷 (TR)