H5014NL 是一种高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高电压驱动的功率转换和开关应用。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。它适用于多种工业领域,包括开关电源、电机驱动、逆变器等。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:1.4A
导通电阻:7.2Ω
栅极阈值电压:2V 至 4V
功耗:2W
结温范围:-55℃ 至 +150℃
H5014NL 提供了出色的性能表现,其主要特性如下:
- 高耐压能力:高达 600V 的漏源电压使得该器件非常适合在高电压环境下运行。
- 低导通电阻:7.2Ω 的导通电阻可显著降低功率损耗,提升整体效率。
- 快速开关速度:具备快速的开启和关断时间,适合高频应用。
- 热稳定性强:能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内工作,适应各种严苛环境。
- 小封装设计:节省空间,便于电路板布局。
H5014NL 广泛应用于以下领域:
- 开关电源 (SMPS):用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器中的开关元件。
- 电机驱动:控制小型电机的启动、停止及调速。
- 逆变器:用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变系统。
- 过流保护电路:作为过载保护的电子开关使用。
- LED 驱动:为高亮度 LED 提供稳定的电流驱动。
H5013NL
H5015NL