芯片类型：SLC NAND Flash
　　容量：1Gbit
　　电压：2.7V-3.6V
　　封装：52-TSOP
　　接口：Parallel NAND
　　工作温度：-40°C ~ 85°C
　　读取时间：最大70ns
　　写入时间：最大70ns

H27US1G8F2BFR-BI 是一款高性能的SLC NAND闪存芯片，具有卓越的耐用性和可靠性。SLC（Single-Level Cell）技术使得每个存储单元仅存储1位数据，从而提供了比MLC（Multi-Level Cell）更高的数据完整性和更长的擦写寿命。这款芯片的擦写寿命可达10万次，适用于对可靠性要求极高的工业应用。此外，H27US1G8F2BFR-BI 支持高速数据存取，其70ns的读写时间能够满足大多数嵌入式系统和存储应用的需求。该芯片还支持ECC（Error Correction Code）功能，可自动检测并纠正数据错误，从而提升数据传输的可靠性。其52-TSOP封装形式也便于在空间有限的PCB上进行布局和安装。
　　另外，这款芯片的宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。H27US1G8F2BFR-BI 还支持多种高级功能，如坏块管理、磨损均衡等，进一步增强了其在复杂系统中的可靠性。这些特性使得该芯片成为嵌入式设备、工业计算机、医疗设备以及车载系统等领域的理想选择。

H27US1G8F2BFR-BI 适用于各种需要高可靠性存储的场景。常见的应用包括嵌入式系统、工业控制设备、手持设备、数据采集器、医疗设备、车载信息娱乐系统以及固态硬盘（SSD）等。由于其SLC NAND的特性，它特别适合用于需要频繁读写和高数据完整性的系统。例如，在工业自动化系统中，该芯片可用于存储关键的操作系统和应用程序数据，以确保设备在恶劣环境中稳定运行。此外，H27US1G8F2BFR-BI 也常用于需要长时间运行的嵌入式设备，如远程监控设备和工业级物联网（IoT）设备。

K9F1G08U0B-PCB0, S34ML01G200BHI000, MT29F1G08ABBDA4E