型号：SI8261BCC-C-ISR
　　制造商：Silicon Labs（Skyworks Solutions, Inc.）
　　类型：单通道隔离式栅极驱动器
　　输出峰值电流：4A（拉电流/灌电流）
　　供电电压（VDD1）：2.5V 至 5.5V（逻辑侧）
　　供电电压（VDD2）：9V 至 20V（输出侧）
　　隔离电压：5000 VRMS（1分钟，符合UL 1577）
　　绝缘爬电距离：8 mm
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：±100 kV/μs（典型值）
　　传播延迟：55 ns（典型值）
　　脉冲宽度失真：3 ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8-SOICWB（宽体）
　　通道数：1
　　安全认证：IEC/EN/DIN VDE 0884-10（增强型隔离），UL 1577

SI8261BCC-C-ISR采用Silicon Labs先进的电容隔离技术，通过在片上集成高频调制和差分电容耦合结构，实现输入逻辑信号与高压输出级之间的电气隔离。这种隔离机制不仅具备高可靠性，还能有效抑制高dv/dt噪声对控制信号的影响，确保在复杂电磁环境中稳定运行。其共模瞬态抗扰度（CMTI）高达±100 kV/μs，远超行业平均水平，可防止因快速电压变化引起的误触发或误导通，特别适用于高频开关应用如图腾柱PFC和SiC MOSFET驱动。
　　该器件的输出级设计为推挽式结构，支持4A峰值输出电流，能够在极短时间内完成对功率管栅极电容的充放电，显著缩短开关过渡时间，从而降低开关损耗，提升系统整体能效。同时，低传播延迟（55ns典型值）和极小的脉冲宽度失真（3ns）保证了精确的时序控制，有助于实现多相并联或同步整流等精密拓扑结构中的时序一致性。
　　SI8261BCC-C-ISR具备宽输入逻辑电压范围（2.5V–5.5V），可直接与TTL、CMOS及低压微控制器（如3.3V或5V MCU）接口，无需额外电平转换电路。输出侧供电范围为9V–20V，兼容标准负偏压配置，支持负压关断以增强抗干扰能力和防止米勒效应导致的误开通。内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，在VDD2电压不足时自动关闭输出，避免功率器件工作于线性区造成过热损坏。
　　该器件符合多项国际安全标准，包括UL 1577和IEC/EN/DIN VDE 0884-10增强型隔离认证，支持长达50年的使用寿命评估，适用于需要长期可靠运行的工业和能源系统。8 mm的最小爬电距离满足高压应用的绝缘要求，适合用于海拔高达5000米的设备设计。SOIC-8宽体封装不仅提供良好的散热性能，还便于自动化贴装和回流焊工艺，提升生产效率。

SI8261BCC-C-ISR广泛应用于各类需要高可靠性隔离驱动的电力电子系统中。在工业自动化领域，它常用于伺服驱动器、变频器和电机控制器中，驱动IGBT模块实现高效交流电机调速。在开关电源（SMPS）中，尤其是在高功率密度的LLC谐振转换器或有源钳位反激拓扑中，该芯片可用于驱动主开关管或同步整流MOSFET，提高转换效率并减少EMI干扰。
　　在新能源领域，SI8261BCC-C-ISR被广泛应用于光伏（PV）逆变器和储能系统中的DC-AC转换部分，驱动半桥或全桥结构中的功率开关，支持快速动态响应和高效率能量转换。对于电动汽车充电基础设施，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩，该器件都能胜任对SiC或GaN功率器件的驱动任务，充分发挥宽禁带半导体的高频优势。
　　此外，该芯片也适用于不间断电源（UPS）、电信电源系统、医疗电源等对安全隔离和系统稳定性要求极高的场合。其高CMTI性能和强抗干扰能力使其在存在强烈电磁噪声的环境中仍能保持稳定工作，避免因信号串扰导致系统故障。由于支持负压关断和具备UVLO保护，SI8261BCC-C-ISR在高温、高湿或高海拔环境下依然表现出色，是构建高可用性电源系统的理想选择。

SI8261BBC-C-ISR
　　SI8262BC-C-ISR
　　UCC21540DWR
　　ADuM3223BRZ