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H27UEG8YEAYR 发布时间 时间:2025/9/2 6:23:01 查看 阅读:4

H27UEG8YEAYR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于3D NAND技术的存储产品,广泛应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储系统和其他需要高密度、高速度存储的电子设备中。这款芯片具备较高的存储容量和可靠性,适合消费类电子、工业控制和车载系统等应用场景。H27UEG8YEAYR 采用BGA封装形式,便于集成在各种小型化设备中。

参数

品牌:SK Hynix
  型号:H27UEG8YEAYR
  类型:3D NAND Flash
  容量:8GB
  接口:ONFI 4.0
  封装:BGA
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  电压:2.5V ~ 3.3V
  读取速度:最高约800MB/s
  写入速度:最高约1500MB/s

特性

H27UEG8YEAYR 的主要特性之一是其基于3D NAND技术的架构设计,这使得芯片在保持较小体积的同时具备较高的存储密度和读写性能。相比传统的2D NAND,3D NAND技术在单元密度和耐用性方面都有显著提升。该芯片支持ONFI 4.0接口标准,提供更高的数据传输速率,适用于需要高速数据访问的应用场景。
  此外,H27UEG8YEAYR 在功耗管理方面表现出色,能够在多种工作模式下保持较低的能耗,适合电池供电设备使用。芯片内部集成了纠错码(ECC)功能,以提高数据存储的可靠性,并支持坏块管理,延长了产品的使用寿命。
  为了适应各种严苛的工作环境,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够满足工业级和车载应用的温度要求。其BGA封装形式也提高了抗干扰能力和稳定性,适合高频操作环境。

应用

H27UEG8YEAYR 主要用于需要高性能和高可靠性的存储解决方案中。例如,它可以应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储设备、工业控制计算机、车载信息娱乐系统以及智能监控设备。由于其高容量和高速度的特性,这款芯片也适用于需要频繁读写操作的场景,如视频记录、数据缓存和实时数据处理。
  在消费类电子产品中,H27UEG8YEAYR 可用于智能手机、平板电脑和便携式游戏设备,以提升设备的存储性能和响应速度。在工业领域,该芯片可用于自动化控制系统、数据采集设备和工业机器人,以确保存储数据的稳定性和安全性。此外,在车载系统中,它可以支持车载导航、行车记录仪和车载娱乐系统等应用。

替代型号

H27UCG8V5MYR, H27UCG8T2MYR

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