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RB521S-30 C 发布时间 时间:2025/8/17 3:50:26 查看 阅读:16

RB521S-30 C是一款双通道肖特基势垒二极管(SBD),采用SOT-23小型封装,由Rohm Semiconductor生产。这款二极管的两个通道具有相同的电气特性,适用于需要高效、高速开关性能的电路设计。RB521S-30 C的额定电流为100mA,最大反向电压为30V,适用于低压、高频整流和信号检测应用。由于其低正向电压降和快速恢复时间,该器件能够在高频率下工作,同时减少功率损耗。

参数

类型:肖特基二极管
  结构:双通道共阴极(Common Cathode)
  最大正向电流:100mA
  最大反向电压:30V
  正向电压(@100mA):典型值约0.31V,最大0.42V
  反向漏电流(@30V):最大100nA
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

RB521S-30 C具有低正向电压降的特性,这使其在导通状态下的功率损耗较低,适用于需要高效能的电池供电设备和低功耗电路。由于采用肖特基势垒结构,该二极管在正向导通时几乎没有存储电荷,因此具备快速开关能力,适用于高频整流和开关电源应用。该器件的双通道设计允许两个独立的二极管在电路中并行使用,从而提高电流承载能力和冗余设计。RB521S-30 C的SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性,适用于表面贴装工艺(SMT)进行自动化生产。此外,该二极管具备优良的温度稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能,适用于工业控制、消费电子和通信设备等广泛领域。

应用

RB521S-30 C广泛应用于需要高效能、小尺寸封装的电子设备中,例如便携式电子产品中的DC-DC转换器、电池管理系统、电源管理单元、信号检测电路以及高频整流应用。此外,它也适用于各种逻辑电路、驱动电路和电感负载的续流保护。在通信设备中,RB521S-30 C可用于RF信号整流、低电压保护和隔离电路。由于其快速恢复特性和低正向压降,该器件特别适用于需要高效率和高速响应的电源转换系统,如USB电源管理、LED驱动电路以及嵌入式系统的电源控制模块。

替代型号

BAV99, RB521V-30

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