类型：NAND闪存
　　容量：8GB
　　封装类型：TSOP
　　接口：ONFI 2.3
　　电压：1.8V/3.3V双电压供电
　　读取速度：最高可达50MB/s
　　写入速度：最高可达20MB/s
　　工作温度范围：0°C至+70°C
　　存储温度范围：-40°C至+85°C

H27UEG8Y2B-TPCB 具备高性能和高可靠性的特点，适用于多种应用场景。其支持ONFI 2.3接口标准，使得数据传输更加高效。该芯片采用了先进的ECC（错误校正码）技术，能够有效检测和纠正数据错误，从而提高数据的完整性与可靠性。此外，它还支持坏块管理，可以在制造过程中或使用期间识别并跳过坏块，延长了设备的使用寿命。
　　这款NAND闪存芯片还具备低功耗设计，适合便携式设备和对能耗敏感的应用。其双电压供电设计（1.8V和3.3V）使其能够适应不同的电源环境，增强了兼容性。TSOP封装形式也使其在PCB布局上更加方便，降低了设计复杂度。
　　在制造工艺方面，H27UEG8Y2B-TPCB采用了先进的制程技术，使其在保持高存储密度的同时，仍具备良好的性能表现。该芯片支持多层单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中存储多个比特的数据，从而提高存储效率。此外，它还支持磨损均衡（Wear Leveling）技术，有助于均匀分布写入操作，防止某些区块过早失效。

H27UEG8Y2B-TPCB 主要应用于需要大容量非易失性存储的设备，如固态硬盘（SSD）、嵌入式系统、工业计算机、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）、存储卡（如SD卡、CF卡）以及USB闪存盘等。在工业自动化、医疗设备、车载系统和安防监控设备中，该芯片也常用于数据存储和记录。

H27UEG8T2B-TPCB, H27UCG8T2A-TPCB, H27UCG8V5M-TPCB