2SK1528是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及功率放大电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于高效率和高功率密度的设计需求。2SK1528采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):900V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):8A(连续)
导通电阻(RDS(on)):1.0Ω(最大)
功率耗散(PD):60W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
2SK1528具备优异的导通特性和高压耐受能力,其900V的漏源电压使其适用于高电压应用场景,如电源适配器、工业电源和照明系统。该MOSFET的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,其TO-220封装设计提供了良好的热管理能力,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该器件还具备较强的抗雪崩能力和过热保护性能,提升了整体的可靠性和寿命。2SK1528的栅极驱动电压范围较宽,支持多种驱动电路设计,便于在不同应用中灵活使用。其快速开关特性也使其适用于高频开关电源设计,有助于减小电源体积并提升响应速度。
在制造工艺上,2SK1528采用了先进的沟槽式MOS结构,提高了器件的性能一致性与稳定性。同时,其内部寄生二极管具有较高的反向恢复能力,适用于需要频繁开关的应用场景。
2SK1528广泛应用于各类电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、AC-DC转换器、DC-DC变换器、UPS不间断电源以及工业控制设备中的功率开关电路。它也常用于LED照明驱动、电机控制和电池充电器等应用。此外,由于其高压特性,该器件也适合用于高压负载开关、电焊机和逆变器等高功率设备中。
2SK1530, 2SK2092, 2SK2141, IRFBC20