BD2220G-TR 时间：2025/12/25 11:22:07 阅读：22

BD2220G-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用小型表面贴装封装（如SOP-8或HSOP-8），具有低导通电阻和高效率的特点，适合在便携式设备和高密度电路板设计中使用。其优化的栅极结构降低了开关损耗，提升了整体系统能效。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，适用于工业控制、消费类电子产品及通信设备中的功率切换与调节功能。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，因此也可用于汽车电子系统中对安全性和耐久性要求较高的场合。

参数

型号：BD2220G-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：7.8A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：31A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大功耗（PD）：1.6W
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=4.5V：22mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS=2.5V：28mΩ
　　阈值电压VGS(th)典型值：1.2V
　　输入电容Ciss：600pF
　　输出电容Coss：190pF
　　反向恢复时间trr：15ns
　　封装类型：HSOP-8
　　安装方式：表面贴装SMD

特性

BD2220G-TR具备优异的导通性能与开关响应能力，其低RDS(on)特性显著减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了电源系统的整体效率。在VGS=4.5V时，RDS(on)仅为22mΩ，在同类20V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于电池供电设备中对能耗极为敏感的应用场景。该器件采用ROHM专有的沟槽式场效应晶体管工艺，实现了更高的单位面积电流密度，同时有效抑制了米勒效应带来的寄生振荡问题，增强了高频工作的稳定性。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为8nC，这使得它能够在快速开关应用中减少驱动电路的负担，降低动态损耗，提升PWM控制下的响应速度。此外，其较小的输出电容（Coss=190pF）有助于减小关断过程中的能量损耗，进一步优化高频运行效率。内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=15ns），可有效防止在感性负载切换过程中产生过大的电压尖峰，提高系统可靠性。
　　BD2220G-TR采用HSOP-8封装，具备优良的散热性能，能够通过PCB焊盘将热量有效传导至外部环境，支持高功率密度布局。该封装还集成了暴露焊盘设计，进一步增强了热传导路径，使器件在持续大电流工作条件下仍能保持较低的工作结温。此外，该产品通过AEC-Q101认证，表明其在极端温度循环、湿度、机械冲击等方面均满足汽车级应用的严苛要求，可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动或车身控制模块等场景。
　　由于其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）和高抗干扰能力，BD2220G-TR不仅适用于工业环境，还能在高温或低温户外设备中稳定运行。器件符合无铅和RoHS指令要求，支持绿色制造流程。总体而言，BD2220G-TR是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，凭借其低导通电阻、优良热性能和紧凑封装，在现代高效电源系统中具有广泛的应用前景。