时间：2025/9/1 22:33:37
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H27UDG8VEMYR-BCR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高密度存储解决方案，适用于需要大容量存储的应用场景，如固态硬盘（SSD）、嵌入式存储设备以及其他消费类电子产品。
容量：8GB
工艺技术：3D NAND
封装类型：TSOP
接口：ONFI 3.0
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H27UDG8VEMYR-BCR NAND闪存芯片采用了先进的3D NAND技术，相比传统的2D NAND，提供了更高的存储密度和更好的性能。这款芯片支持ONFI 3.0接口协议，确保了高速数据传输和稳定的操作性能。此外，该芯片具有低功耗设计，适合用于对功耗敏感的设备，例如移动设备和便携式电子产品。
这款芯片的封装形式为TSOP，这种封装方式在电子设备中广泛使用，具有良好的可靠性和兼容性。H27UDG8VEMYR-BCR的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于大多数工业和消费类应用环境，能够在不同的温度条件下保持稳定的性能。
这款芯片的另一个重要特性是其耐用性和数据保持能力。由于采用了先进的存储技术，H27UDG8VEMYR-BCR可以在多次读写操作后仍保持数据的完整性，适用于需要频繁读写操作的场景。
H27UDG8VEMYR-BCR NAND闪存芯片广泛应用于各种电子设备中，包括固态硬盘（SSD）、嵌入式存储系统、智能手机、平板电脑、数码相机以及便携式游戏设备等。此外，该芯片还可用于工业控制设备、车载系统和物联网（IoT）设备，满足这些设备对高容量存储和稳定性能的需求。
H27UCG8VFM1R-BC
