类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

LN15N10D2 MOSFET 采用先进的沟槽栅技术，确保了低导通电阻和高效的开关性能。该器件的漏源电压额定值为 100V，使其适用于中高压功率应用。此外，其最大连续漏极电流为 15A，能够满足较高功率需求的应用场景。
　　该 MOSFET 的导通电阻（RDS(on)）在 10V 栅极驱动电压下最大为 0.085Ω，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。同时，该器件的热阻较低，能够有效散热，从而提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
　　LN15N10D2 采用 TO-220 封装，具备良好的散热能力和机械强度，适合用于各种电源模块、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关电路。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛的环境条件。
　　此外，该 MOSFET 具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保在突发负载或异常工作条件下的稳定运行。因此，LN15N10D2 适用于需要高可靠性和高性能的电源管理系统。

LN15N10D2 主要用于以下应用场景：
　　1. **开关电源（SMPS）**：适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关器件，提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
　　2. **电机驱动器**：作为 H 桥或单向驱动电路中的开关元件，控制电机的运行状态，适用于工业自动化和消费类电子产品。
　　3. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电控制电路中，实现高效率的能源管理。
　　4. **负载开关电路**：在智能电源管理系统中作为电子开关，实现对负载的快速控制和保护。
　　5. **太阳能逆变器和储能系统**：用于功率变换电路中，提高系统的整体效率和稳定性。
　　6. **LED 照明驱动器**：适用于高亮度 LED 灯具的电源管理，确保恒定电流输出和高效能转换。

IRFZ44N, STP16NF10, FDPF15N10