H27UCG8U5BTR 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片,广泛应用于固态硬盘(SSD)、存储卡和其他需要大容量非易失性存储的设备中。该芯片采用TTR封装形式,支持高速数据读写操作,具备高可靠性和低功耗设计。
容量:8GB
封装类型:TTR
接口类型:ONFI 2.3
工作电压:1.8V / 3.3V
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
H27UCG8U5BTR NAND闪存芯片具备优异的存储性能和稳定性,其ONFI 2.3接口标准提供了高达50MB/s的读取速度和30MB/s的写入速度,适用于多种嵌入式存储应用。该芯片支持ECC(错误校正码)功能,确保数据完整性,同时具备磨损均衡(Wear Leveling)技术,延长了存储寿命。此外,该器件的低功耗特性使其非常适合用于移动设备和便携式电子产品。
该芯片的8GB存储容量可满足中端存储需求,同时其TTR封装形式节省了PCB空间,适用于对尺寸要求较高的应用场景。H27UCG8U5BTR在制造工艺上采用先进的浮栅技术,确保了高耐用性和数据保持能力,典型擦写周期可达10,000次以上。
H27UCG8U5BTR 常用于固态硬盘、嵌入式系统、工业控制设备、车载存储系统、消费类电子产品(如平板电脑、机顶盒)以及各种需要非易失性大容量存储的设备中。其高稳定性和低功耗特性也使其适用于物联网(IoT)设备和边缘计算系统。
H27UCG8T2BTR, H27UCG8V5BTR, H27UCG8U5B2R