时间：2025/9/1 22:20:33
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H27UCG8U5BTR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片，广泛应用于固态硬盘（SSD）、存储卡和其他需要大容量非易失性存储的设备中。该芯片采用TTR封装形式，支持高速数据读写操作，具备高可靠性和低功耗设计。
容量：8GB
封装类型：TTR
接口类型：ONFI 2.3
工作电压：1.8V / 3.3V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
H27UCG8U5BTR NAND闪存芯片具备优异的存储性能和稳定性，其ONFI 2.3接口标准提供了高达50MB/s的读取速度和30MB/s的写入速度，适用于多种嵌入式存储应用。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，确保数据完整性，同时具备磨损均衡（Wear Leveling）技术，延长了存储寿命。此外，该器件的低功耗特性使其非常适合用于移动设备和便携式电子产品。
该芯片的8GB存储容量可满足中端存储需求，同时其TTR封装形式节省了PCB空间，适用于对尺寸要求较高的应用场景。H27UCG8U5BTR在制造工艺上采用先进的浮栅技术，确保了高耐用性和数据保持能力，典型擦写周期可达10,000次以上。
H27UCG8U5BTR 常用于固态硬盘、嵌入式系统、工业控制设备、车载存储系统、消费类电子产品（如平板电脑、机顶盒）以及各种需要非易失性大容量存储的设备中。其高稳定性和低功耗特性也使其适用于物联网（IoT）设备和边缘计算系统。
H27UCG8T2BTR, H27UCG8V5BTR, H27UCG8U5B2R
