类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：32K x 8（256Kbit）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：12ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：52
　　数据宽度：8位
　　接口类型：并行
　　最大工作频率：约83MHz（基于12ns访问时间）

CXK58257AP12LB的核心特性包括高速存取能力、低功耗设计、宽电源电压适应范围以及工业级工作温度支持。其12ns的访问时间使其适用于对响应速度要求较高的应用场景，如高速缓存、实时控制系统等。此外，该芯片在低电压条件下依然能够保持稳定的性能，支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种电源设计环境。工业级温度范围（-40°C至+85°C）保证了芯片在严苛的工业环境中的稳定性与可靠性。
　　芯片采用TSOP封装，具备良好的散热性能和空间适应性，便于在高密度电路板中布局。并行接口支持快速数据交换，适用于需要高吞吐量的应用场景。同时，CXK58257AP12LB在待机模式下功耗极低，有助于延长电池供电设备的使用时间。整体设计兼顾了性能、功耗与可靠性，是工业控制、通信设备、自动化系统等领域的理想选择。

CXK58257AP12LB SRAM芯片适用于多种需要高速存储访问的场景。在嵌入式系统中，它可作为主控制器的外部高速缓存或数据存储单元，提升系统响应速度。在工业自动化设备中，可用于存储实时采集的数据或控制参数，确保系统稳定运行。此外，该芯片还广泛应用于网络通信设备，如路由器、交换机，用于存储临时数据包或缓冲信息。在测试与测量仪器中，CXK58257AP12LB可用于高速数据采集与处理，确保测量精度和实时性。由于其宽温度范围和低功耗特性，也适合用于车载电子设备、智能仪表、安防监控系统等对稳定性要求较高的应用领域。

CYK58257AP12ZC, CYK58257AP15ZC, IS61LV25616-12B4I