时间：2025/7/22 6:52:03
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M48Z1270PC1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该芯片结合了SRAM的高速访问特性和EEPROM的非易失性数据存储能力，适用于需要在断电情况下保持数据完整性的应用。M48Z1270PC1 采用 28 引脚塑料封装（PDIP 或 SOIC），工作温度范围为工业级（-40°C 至 +85°C），适合在各种恶劣环境下运行。
容量：128Kbit（16K x 8）
访问时间：120ns
工作电压：5V ± 10%
封装类型：28-Pin PDIP/SOIC
接口类型：并行
非易失性存储技术：EEPROM
数据保持时间：典型值10年
写入周期：100,000次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
M48Z1270PC1 的核心特性在于其非易失性存储技术与高速SRAM访问能力的结合。
该芯片内部集成了SRAM和EEPROM，用户可以直接通过标准SRAM接口进行高速读写操作。当检测到电源电压下降到预设阈值以下时，芯片会自动将SRAM中的数据备份到EEPROM中，确保在断电情况下数据不会丢失。这一过程无需外部控制器干预，极大地简化了系统设计。
此外，M48Z1270PC1 支持高达100,000次的写入/恢复周期，具有出色的耐用性。其120ns的访问时间使其适用于高速数据缓存和临时存储应用。
该芯片还具备自动电源监控功能，能够有效防止在低电压条件下对EEPROM的误写入操作，从而提升数据的可靠性。
由于其工业级工作温度范围，M48Z1270PC1 可在各种恶劣环境下稳定运行，例如工业控制系统、数据采集设备、通信设备等。
M48Z1270PC1 主要应用于需要高速非易失性存储的场景，例如工业控制系统、数据记录仪、通信设备、测试仪器和嵌入式系统等。其高速读写能力与非易失性特性使其成为需要频繁更新数据并保证断电后数据不丢失的理想选择。具体应用包括实时数据缓存、系统状态存储、设备配置信息保存等场合。
M48Z1280PC1, M48Z1285PC1
